図1：トランジスター電流へのゲート電圧影響 図2：強誘電体の分極反転の有無による印加電圧 vs 電流の違い |
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| FETのゲートキャパシターにヒステリシスを与えると、そのトランジスターの応答は複雑になります。一般的なMOSFETs（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）のための既存の試験ではMFSFETの特性を特徴つけるには適していません。 多くのTFFTsはPositive Gate、Negative GateそしてDrain電圧により分極を操作することが出来ると言う点でMOSFETｓとは極めて異なるものになるからです。 これら複雑な強誘電体トランジスターの諸特性を計測するための本システムは、強誘電体ゲートトランジスターと共に培ったラジアント社の20年近い経験に基くものです。 弊社では、強誘電体ゲートトランジスター計測に対する理論やその計測原理、強誘電体トランジスターの測定例を説明する資料を準備しております。 デモ計測をご希望の際は弊社までご連絡ください。 |
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