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ラジアント・テクノロジー社では、強誘電体を薄膜コーティングした各種Siウェーハを販売しております。ラジアント社の製造ファクトリー・プロセスに関しましては、エンジニアリング・サービスの項目をご覧ください。このウェーハから作製したパッケージ済み強誘電体テストサンプルも販売しております。

納期・価格は強誘電体成分の構成、電極の組み合わせ等により変動します。
下記の表にない強誘電体薄膜と上部電極のみ、下部電極のみの作製、又はお客様支給のウェーハ、及び下部電極上に成膜する等も可能です。
電極にLa2-xSrxCuO4 (LSCO)を含むことで、Fatigue Freeのウェーハも作製可能です。
強誘電体薄膜付きウェーハの詳細に関しては日本フェロ・テクノロジーにご確認ください。
PZT、BTO、BFOなどの各種強誘電体のスピンコート液やスパッタリングターゲットの販売に関するお問い合わせは、弊社または豊島製作所マテリアルズシステム事業部にお問い合わせください。
堆積 /層 (下部から上部に)：
シリコンウェーハ:　サイズ: 4 inchΦ、厚み: 550 μm
SiO2 - 必須、厚み: 0.5 μm
TiOx - 必須、厚み: 0.04 μm
Pt下部電極 - オプション 厚み: 0.15 μm
PZT - MODによる堆積　厚み: 0.25 μm
Pt上部電極 - オプション 厚み: 0.1 μm- パターン可
ガラス基板 - オプションで対応可
クロム/金 - オプションで電極の材質変更可

ウェーハで組み合わせ可能な例:
PZT/TiOx/Wafer
上部電極パターン/PZT/下部電極
上部電極パターン/PZT/TiOx
全層パターン化
保護膜と金属の接続		 Pt/PZT/Pt/SiO2積層構造
PZT薄膜の例

断面構造の模式図



パッケージ済み強誘電体テストサンプルの断面構造


パターン電極付きPLZTの4インチWafer
　パターニング等を使用して、以下の電極付き試料を作製することも可能です。
　ダイシング等の加工によりチップ化も可能です。
A
ラジアント社製　教育用・テスト用強誘電体チップに使用します
B
ラジアント社製　応力・温度センサー
に使用します。

各種強誘電体薄膜付きSiウェーハ
商品番号 詳細 数量
001 4/52/48 PLZT Wafer - 電極なし 最小単位5枚から
002 4/20/80 PNZT Wafer - 電極なし 最小単位5枚から
003 0/20/80 PLZT Wafer - 電極なし 最小単位5枚から
004 9/65/35 PLZT Wafers- 電極なし 最小単位5枚から
005 15/0/100 PLZT Wafers - 電極なし 最小単位5枚から
A-007 4/52/48 PLZT Wafer - 上部・下部電極付 最小単位5枚から
A-008 4/20/80 PNZT Wafer - 上部・下部電極付 最小単位5枚から
A-009 0/20/80 PLZT Wafer - 上部・下部電極付 最小単位5枚から
A-010 9/65/35 PLZT Wafer - 上部・下部電極付 最小単位5枚から
A-011 15/0/100 PLZT Wafer - 上部・下部電極付 最小単位5枚から
B-012 4/52/48 PLZT Wafer - 上部・下部電極付
全面パターニング、PZTパターン		 最小単位5枚から
B-013 4/20/80 PNZT Wafer - 上部・下部電極付
全面パターニング、PZTパターン		 最小単位5枚から
B-014 0/20/80 PLZT Wafer - 上部・下部電極付
全面パターニング、PZTパターン		 最小単位5枚から
B-015 9/65/35 PLZT Wafer - 上部・下部電極付
全面パターニング、PZTパターン		 最小単位5枚から
B-016 15/0/100 PLZT Wafer - 上部・下部電極付
全面パターニング、PZTパターン		 最小単位5枚から

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　PZT: チタン酸ジルコン酸鉛
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　PLZT: ランタンドープPZT
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　PNZT: ニオブドープPZT　　


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